カーボンエレクトロニクス（ダイヤモンド、グラフェン等）
１．ダイヤモンド/グラフェン接合を用いた新規光デバイスの開発
ダイヤモンドとグラフェンはその優れた物理特性から、従来の半導体材料を凌駕する
高性能デバイスの作製が可能な材料として盛んに研究が行われていますが、更に近年、
ダイヤモンドとグラフェンを組合せた炭素sp3-sp2界面において多様な物理現象が現れる事
が理論予測されており、炭素sp3-sp2界面に大きな注目が集まりつつあります。我々は
ダイヤモンド/グラフェン(炭素sp3-sp2)接合の優れた特性を活かした新規光デバイスの
開発を目指し、日々研究を行っております。
・ダイヤモンド／グラフェン(炭素sp3-sp2)接合の脳型光記憶機能
（この内容はCarbon誌(Impact factor:9.594)に掲載されると共にプレスリリース(21.7.2)されました
また、電波新聞(DEMPA DIGITAL)(7/9)、マイナビニュースTECH+(7/6)、
つくばサイエンスニュース, わかる科学 (8/15)等にも掲載、
英文プレスリリースを8/2に実施、EurekAlert、Phys.org等で記事が掲載）
・ダイヤモンド／グラフェン(炭素sp3-sp2)接合を用いた多値光記憶デバイスの作製
・ダイヤモンド／グラフェン(炭素sp3-sp2)接合の巨大光伝導度変調
２．ダイヤモンドスピンデバイスの開発
スピントランジスタは、強磁性体の持つ不揮発性記憶*機能とトランジスタの持つ
演算機能が融合した不揮発性記憶演算素子です。その開発により不揮発性集積回路が
実現すれば、未使用演算回路の電源遮断ができる超低消費電力コンピュータ等の実現が
可能となります。我々は、高い化学的安定性や大きなスピン拡散長等の優れた特徴を持つ
「ダイヤモンド半導体」と「強磁性体」を融合する事による、「ダイヤモンドスピントランジスタ」
の実現を目指しています。 （*不揮発性記憶： 電源を切っても記憶を保持する性質の事）
・ダイヤモンド半導体／強磁性体ヘテロ接合を用いた新規スピンデバイス作製
３．ダイヤモンドパワーデバイスの開発
ダイヤモンドはバンドギャップ5.5eVを有するワイドギャップ半導体であり、高熱伝導率、
高破壊電圧、高移動度等の優れた物理特性を有する事から次世代パワーデバイス用半導体材料
として期待されています。我々は、電子デバイスとして高いポテンシャルを有するダイヤモンド
を用い、省電力性、高効率性、耐熱性等に優れたパワーデバイスの開発を行っています。
・ダイヤモンド半導体を用いた耐高温パワーデバイスの開発
・ダイヤモンド半導体を用いた高周波パワーデバイスの開発