ダイヤモンド／グラフェン接合を用いた新規光デバイス開発
・ダイヤモンド／グラフェン(炭素sp3-sp2)接合を用いた多値光記憶デバイスの開発
ダイヤモンド/垂直配向グラフェン（カーボンナノウォール:CNW）（炭素sp3-sp2）接合（図１）はパルス光にも敏感に応答し、光パルス数に比例して電流値が段階的に増加（抵抗値は減少）する挙動が見られました（図２）。また、光照射後の抵抗値はそのまま保持（不揮発記憶）されました。接合バイアスの極性(正負)切り替えにより抵抗値は段階的に増減（正バイアスで減少、負バイアスで増加）する事も分かりました。抵抗状態それぞれが１パルスの光強度等に対応する事から、これらの結果は、CNW/ダイヤモンド接合がパルス光により段階的に抵抗値を切り替え、記憶保持が可能な“多値光記憶デバイス”となり得る事を示唆しています。
（Ref.: K. Ueda et al. Appl. Phys. Lett. 117 (2020) 092103; Dia. Relat.
Mater, 34 (2019) 626）
左図：CNW/ダイヤモンド接合のラマンスペクトルと界面TEM測定結果、右図：接合電流のパルス光依存性(10パルス印可)