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業績一覧
原著論文


学会発表<国内・国外>


アウトリーチ活動


総説・解説

“バルク結晶成長のこの10年”,
宇治原 徹, 島村清史, 宇佐美 徳隆, 太子 敏則, 樋口 幹雄, 吉村 政志,
JOURNAL OF THE JAPANESE ASSOCIATION FOR CRYSTAL GROWTH(日本結晶成長学会誌),42,[1], pp.64-68, (2015).

“SiC 結晶成長における多形制御 〜速度論的多形制御法の提案(3C-SiC 溶液成長を例に)〜”,
関 和明,原田 俊太,宇治原 徹,
日本結晶成長学会誌, 40(4), pp.253-260, (2013).

“SiC溶液成長の最近の展開”,
原田 俊太,山本 祐治,関 和明,宇治原 徹,
日本結晶成長学会誌, 40, pp.25-32, (2013).

“超高品質SiC溶液成長”,
宇治原徹, 原田俊太, 山本祐治,関和明,
応用物理, vol.82, No.4, pp.326-329,(2013).

“SiC単結晶の溶液成長”,
宇治原徹,
Materials Stage 9月号 p.46 (2009).

“次世代のSiC高品質基板結晶作製技術 溶液法によりマイクロパイプ・基底面転位を低減 産学の連携を深め、実用化をめざす”,
宇治原徹, 竹田美和,
Semiconductor FPD World 11月号 p.55 (2009).

“生体膜における相分離構造に関する研究”,
宇治原徹,
まてりあ 46, 433 (2007).

“太陽 電池用Si系バルク多結晶の結晶成長及び太陽電池特性 ―多結晶Siの融液成長のその場観察とバルク多結晶SiGeの特性評価―”,
藤原航三, 宇佐美徳隆, 藩伍根, 宇治原徹, 野村明子, 野瀬嘉太郎, 宍戸統悦, 中嶋一雄,
日本結晶成長学会誌 32, 291-296(2005).

“材料工学からの太陽電池研究”,
宇治原徹,
まてりあ 949-953 (2004) .

“SiGeバルク単結晶と多結晶の成長技術およびそれらのデバイス応用 : 均一組成のバルク単結晶とミクロ分散的組成分布を有する太陽電池用バルク多結晶”,
中嶋一雄, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 藩伍根, 佐崎元, 宇治原徹, 宍戸統悦,
日本結晶成長学会誌 61, 29-37 (2004).

“均一組成SiGeバルク結晶成長と関連する測定技術”,
宇治原徹, 我妻幸長, 宇佐美徳隆, 佐崎元, 藤原航三, 宍戸統悦, 中嶋一雄,
日本結晶成長学会誌 29, 339-348 (2002).


著書

『5 パワー半導体材料』pp.90-108,
宇治原徹,
「太陽エネルギー社会を築く材料テクノロジー(T) -材料デバイス編-」,名古屋大学大学院工学研究科材料バックキャストテクノロジー研究センター 編,コロナ社 (2013).

『第3編 結晶成長・成膜法 第4章 溶液法によるSiC結晶成長法 〜SiCを事例として〜』 pp.391-402,
宇治原徹,
「ポストシリコン半導体―ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果―」,株式会社ニッケイ印刷 編,(株式会社エヌ・ティー・エス 2013.6).

『第6章 SiC単結晶成長技術 第2節 SiC結晶の溶液成長技術』pp.236-248,
宇治原徹,
「SiCパワーデバイスの開発と最新動向―普及に向けたデバイスプロセスと実装技術―」, 監修 岩室憲幸, (S&T出版2012).

『17 インバータ』pp.98-101, 『24 結晶シリコン太陽電池』pp.128-132, 『25 アモルファスシリコン太陽電池』pp.133-136, 『26 化合物系太陽電池』pp.137-141, 『27 熱電変換素子・ペルチエ素子』pp.142-146,
宇治原徹,
「これで使える 機能性材料パーフェクトガイド」, 大竹尚登, 神埼昌郎, 宇治原徹, ア正也 編著, (講談社サイエンティフィク 2012).

「3.3.2 六方晶基板上への3C-SiC溶液成長」,
宇治原徹,
「半導体SiC技術と応用 第2版」, 松浪弘之, 大谷昇, 木本恒暢, 中村孝 編著, pp.59-68 (日刊工業新聞社 2011).

「工学的手法による膜制御」,
宇治原徹,
トランスポートソームの世界−膜輸送研究の源流から未来へー 文部科学省科学研究費補助金 特定領域研究 「生体膜トランスポートソームの分子構造と生理機能」(平成17年度~平成21年度), 金井好克,竹島浩,森泰生,久保義弘 編著, pp.424−428, (京都廣川書店 2011).

「SiCパワーデバイスの最新技術」,
宇治原徹,
「SiCバルク結晶の溶液成長技術」, (サイエンス&テクノロジー社 2010).

「2.2.1 エピタキシーの基礎」,
竹田美和, 宇治原徹,
「薄膜ハンドブック 第2版」, (オーム社 2008).

「自然に学ぶ材料プロセッシング, 4.1.5. 半導体量子構造の結晶成長と形成過程 」,
宇治原徹,
名古屋大学21世紀COE「自然に学ぶ材料プロセッシングの創成」教科書編集委員会 編, pp. 221-227 (三共出版 2007).

"Effects of a Magnetic Field on the Crystallization of Protein",
G. Sazaki, S. Yanagiya, S.D. Durbin, S. Miyashita, T. Nakata, H. Komatsu, T. Ujihara, K.Nakajima, M. Motokawa,
in “Materials Science in Static High Magnetic Fields”, K. Watanabe and M. Motokawa ed.,Chapter 19, pp. 283-300, (Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, New York, 2002).


招待講演・セミナー講師等

"成長過程における転位変換現象を利用した高品質 SiC 溶液成長",
宇治原徹,
材料の微細組織と機能性第133委員会 第230回研究会, 東京理科大学 森戸記念館, 2016年1月30日, <招待講演>

"転位変換現象を利用した超高品質 SiC 結晶の溶液成長",
宇治原徹,
2015年第35回表面科学学術講演会/第56回真空に関する連合講演会 真空・表面科学合同講演会 合同シンポジウム「パワーデバイスにおけるワイドキャップ半導体の最前線」, つくば国際会議場, 2015年12月1日〜3日, 1Bp01, 2015年12月1日,《依頼講演》.

"やるかやらないか〜リーダーシップとは何か?〜",
宇治原徹,
名古屋大学リーディング大学院プログラム Joint Symposium, 名古屋大学東山キャンパス, ES総合館ESホール, 2015年11月3日, 基調講演.

"Introduction of SiC Solution Growth‐in comparison with other growth methods",
T. Ujihara,
October 4, 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ICSCRM2015), Giardini Naxos, Italy, October 4-9, (2015), Tutorial Program, oral.

“新第6次産業革命とは・・「人と技術の融合」の必要性”,
宇治原徹,
第76回応用物理学会秋季学術講演会特別シンポジウム,名古屋国際会議場 センチュリーホール(約3000人), 2015年9月16日.

“SiC溶液成長過程における欠陥変換メカニズムの解明と超高品質結晶の実現”,
宇治原徹,
2015年8月8日, 第71回マテリアルズ・テーラリング研究会, 長野県, (公財)加藤山崎教育基金 軽井沢研修所, 2015年8月8日-9日.

"Car Materials and Processing",
T.Ujihara,
Nagoya University, RWDC Summer School Program in Istanbul Technical University, Turkey, 30 June, 28 June-11 July, (2015).

"Ultra high quality SiC crystal grown by solution method",
T. Ujihara, S. Harada, K. Aoyagi, M. Tagawa, T. Sakai,
June 16, 11th CMCEE, Hyatt Regency Vancouver, BC Canada, June 14-19, (2015), CMCEE-T4-S5-018-2015.

"Development of Visible-Light Photoemission Spectroscopy for the Evaluation of Conduction Bands in Semiconductors",
T. Ujihara,
May 29, BIT's 4th Annual World Congress of Advanced Materials-2015 (WCAM-2015),
Chongqing International Convention & Exhibition Center, Chongqing, China, May 27-29, (2015),Sector 10-1.

"High quality SiC crystal grown by solution method",
T. Ujihara,
International Conference on Chemical, Materials and Bio-Sciences for Sustainable Development(ICCMBSD-2015), January 10, Walchand College of Arts and Science, Solapur, Mumbai, India, January 8-10, (2015).

「溶液からの窒化アルミニウム材料の作製」,
宇治原徹,
窒化アルミニウム・窒化ケイ素の高性能・低コスト化に向けた生成プロセスの開発〜放熱基板等の高性能・低コスト化に向けたAlN・SiNの生成プロセス〜, サイエンス&テクノロジー セミナー, 東京・品川区大井町 きゅりあん, 2014年9月2日

「地上と無重力での結晶表面の二次元過飽和度および成長速度分布の測定」,.
村山 健太,
表面・界面ダイナミクスの数理 Z,東京大学, 2014年4月24日, 2014年4月23日-25日.

「n 型およびp 型SiC 溶液成長過程における欠陥挙動と高品質結晶成長」,
原田俊太,
日本結晶成長学会バルク成長分科 第91回分科会, 名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー, 2014年3月27日.

"Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method",
T.Ujihara,
ICSEM 2014 (International Conference on Science and Engineering of Materials, January 8th, Sharda University, Greater Noida, India, January 6-8th(2014).oral.

「次世代パワーデバイス〜SiCパワーデバイスの確立と見通し〜」,
宇治原徹,
次世代ものづくり基盤技術産業展 TECH Biz EXPO 2013,2013年10月10日.

「溶液法による超高品質SiC 結晶成長」,
宇治原徹,原田俊太,
第37回結晶成長討論会,長野勤労者いこいの村アゼィリア飯綱,長野県,日本結晶成長学会,2013年9月27日,2013年9月25日-27日.(招待講演)

「高効率電力利用を実現する次世代パワーデバイスのための材料開発(SiC単結晶、高熱伝導AlNフィラー)」,
宇治原徹,
テクノ・フェア名大2013, 2013年9月6日.

「溶液法の現状と課題」,
宇治原徹,
(公社)応用物理学会 先進パワー半導体研究会 第8回個別討論会 「SiC基板結晶に求められるスペック」, 名古屋大学, ES総合館ES会議室, 2013年7月19日.

「マクロステップを利用した高品質SiC溶液成長」,
宇治原徹,
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 2013春季講演会,SiC結晶成長講演会 〜SiC半導体の現在の課題と将来展望〜, 大阪大学, 銀杏会館3階, 2013年6月21日, 2013年6月20日〜21日.

「次世代パワーデバイスに向けた超高品質SiC結晶の育成」,
宇治原徹,
名古屋大学グリーンモビリティ連携研究センター 第10回次世代自動車公開シンポジウム「モビリティ・イノベーション」, 日本大学 生産工学部39号館6階 スプリングホール, 千葉県,2013年3月19日.

「パワーエレクトロニクス技術」,
宇治原徹,
中部産業連盟主催『技術担当役員のための次世代自動車最新技術・動向講座』【東海地区開催】“次世代自動車”をにらんだ戦略が構築できる企業をめざして!第3回 次世代自動車「電気/電池」,2013年2月15日.

「SiC溶液成長法の現状と最新動向★徹底解説」,
宇治原徹,
Electronic Journal 第1496回 Technical Seminar, 2012年12月4日.

「省エネ技術の急先鋒・パワーエレクトロニクスのための次世代材料(SiC)開発」,
宇治原徹,
テクノ・フェア名大2012, 2012年8月31日.

「溶液成長による超高品質SiC結晶の可能性」,
宇治原徹,
応用物理学会結晶工学分科会主催 第136回結晶工学分科会研究会「省エネ・創エネ技術における結晶工学の最前線 −超伝導、窒化物、太陽電池ー」,学習院創立百周年記念会館小講堂, 東京都,2012年4月20日.

「高品質SiC溶液成長」,
宇治原徹,
2012年電子情報通信学会総合大会, 岡山大学, 岡山県, 2012年3月22日.

「溶液成長法によるSiC高品質結晶の実現」 〜”Ultra-high quality”の可能性〜,
宇治原徹,
名古屋大学野依記念学術交流館2階 カンファレンスホール, 愛知県, 2012年3月21日, 名古屋大学グリーンモビリティ連携研究センター「第3回次世代自動車公開シンポジウム 〜次世代自動車材料技術研究の地域間連携をめざして〜」.

“Solution growth of high-quality SiC crystal”,
Toru Ujihara,
INDO-JAPAN Conference on Frontier Nano-Materials for Energy (FNE-2012), January 9, Sharda University, Greater Noida, India, Janualy 9-11(2012).

「SiC 溶液成長における貫通転位の変換過程 ーUltra-High Quality の可能性ー」,
宇治原徹,原田俊太,山本祐治,関和明,堀尾篤史,三橋貴仁,
愛知県産業労働センター(ウインクあいち), 愛知県,12月9日, 公益社団法人応用物理学会 第20回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会, 2011年12月8日-9日. U-3

「SiC溶液成長法の最新動向★徹底解説 〜欠陥密度低減に優れた溶液成長法を詳解〜」,
宇治原徹,
Electronic Journal 第1020回 Technical Seminar, 2011年12月5日.

「パワーエレクトロニクス関連材料の研究動向」,
宇治原徹, 第1回次世代自動車地域産学官フォーラム 技術開発セミナー&ラボツアー, 2011年11月14日.

「グリーンビークルの小型高効率電力変換を可能にする次世代パワーデバイス用材料(SiC基板)の開発」,
宇治原徹,
テクノ・フェア名大2011, 2011年9月2日.

「次世代パワーデバイス材料(高品質SiC 結晶)の開発」,
宇治原徹,
名古屋銀行「次世代自動車に関するセミナー」, 2011年8月9日.

「グリーンビークル戦略マップ・ロードマップ−パワーエレクトロニクス領域−」,
宇治原徹,
次世代自動車産学官フォーラム 技術開発セミナー 次世代自動車クラスター形成に向けた「GV(グリーンビークル)戦略マップ・ロードマップ」,2011年7月11日.

“SiC 溶液成長における多形制御と結晶性評価”,
宇治原徹,
(独)日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145 委員会 第126回研究会, 2011年6月16日.

“溶液成長法によるSiC結晶の多形安定性・結晶性評価”,
宇治原徹,
中部地区4機関ナノテク総合支援 平成22年度成果報告会開催, 2011年3月30日.

“溶液法によるSiC結晶成長 ー多形制御・結晶性ー”,
宇治原徹,
第58回 応用物理学関係連合講演会 シンポジウム 「グリーンイノベーションに向けたSiCパワーエレクトロニクス開発の進展」, 2011年3月24日.

“SiC結晶品質制御と溶液成長基板の展望”,
宇治原徹,
電子ジャーナル テクニカルセミナー 「SiC高速成膜・結晶欠陥制御技術徹底解説」, 2011年1月28日.

“Solution growth of high-quality and large-area 3C-SiC”,
T. Ujihara, K. Seki, R. Tanaka, S. Kozawa, Alexander, Y. Takeda,
The 16th International Conference on Crystal Growth(ICCG-16) in conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy(ICVGE-14), Beijing, China, August 8-13 (2010).

“次世代パワーデバイス半導体SiCの溶液成長”,
宇治原徹,
日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部学術討論会, 2010年2月23日.

“パワーデバイスをめざした高品質SiC溶液成長”,
宇治原徹,
第2回 材料バックキャストテクノロジーシンポジウム, 2009年10月2日.

“超高輝度・高スピン偏極度フォトカソード”,
金 秀光, 山本尚人, 中川靖英, 真野篤志, 加藤鷹紀, 谷奥雅俊, 宇治原徹, 竹田美和, 山本将博, 奥見正治, 中西 彊, 坂 貴, 堀中博道, 加藤俊宏, 安江常夫, 越川孝範、
第70回応用物理学会学術講演会, 2009年9月10日.

“SiC単結晶成長、基板の開発・加工技術”,
宇治原徹,
「SiC単結晶成長、基板の開発・加工技術」セミナー 溶液成長法の基礎とSiC結晶成長への応用, 大田区産業プラザ, 東京都, 2009年8月31日.

“先端材料開発のための結晶成長の基礎と応用”,
宇治原徹,
第14回東海支部基礎セミナー, 「溶液法の基礎とSiC結晶成長への応用」, 2009年6月24日.

“協同現象の観点からの生体膜相分離の制御”,
宇治原徹,
「G蛋白質シグナル」&「膜輸送複合体」合同若手ワークショップ2009, 神戸, 2009年1月31日.

“半導体ナノ構造の結晶成長と応用(広帯域光源と偏極電子源を中心に)”,
宇治原徹,
第16回ナノテク部会研究会, 2007年1月26日.

“融液・溶液成長過程における歪み誘起多結晶化”,
宇治原徹,
日本物理学会 結晶成長分科会シンポジウム「過冷却液体からの核生成・結晶成長」,東北大学,2003年3月28日.

“強磁性合金の相分解における自発磁化の影響”,
宇治原徹,
フォーラム 「強磁場中相変態を利用した組織制御・機能制御」, 日本鉄鋼協会 2002年4月18日.

“溶解・析出過程における金属融液内の組成分布・温度分布その場測定”,
宇治原徹,
低温科学研究所研究会 「成長している結晶の界面と環境相のダイナミクス」, 北海道大学低温科学研究所, 2002年3月19-20日.

“高温溶液組成その場測定とその応用”,
宇治原徹,
第1回「融液物性と液体構造」研究会, 日本宇宙フォーラム, 2001年11月22日.

“均一組成SiGeバルク結晶成長のための測定技術− 成長温度測定・組成的過冷却実測・溶液拡散係数測定の試み −”,
宇治原徹,
第50回日本結晶成長学会バルク成長分科会研究会, 湘南工科大学東京キャンパス, 2001年8月24日.

“In-situ measurement of concentration distributions in a high temperature solution”,
T. Ujihara,
The University of Tokyo and National Cheng Kung University Joint Workshops on Advanced Semiconductor Materials and Devices, 15 March 2001.


展示会等

・「グリーンビークル材料研究開発拠点、電池材料、軽量化技術、パワエレ材料」,メッセ名古屋2011, 2011年11月9-12日.
・「パワーデバイス用高品質SiC結晶成長技術」,第8回 産学官連携推進会議,京都国際会議場,2009年6月20-21日.
・「パワーデバイス用高品質SiC結晶成長技術」,第4回 新エネルギー世界展示会,幕張メッセ,2009年6月24-26日.


受賞

"Direct Observation of Stacking Faults Expansion in 4H-SiC at High Temperatures by In Situ X-Ray Topography"
藤榮文博
ICSCRM2017 Student Poster Award, 2017年9月22日

「単結晶Cu集電体を用いた金属Li負極の不均一析出抑制」
石川晃平
日本金属学会第29回「優秀ポスター賞」, 2017年9月6日

「SiC溶液成長における機械学習を用いた閉鎖空間の溶液温度・流速分布の予測」
畑佐豪記
第40回結晶成長討論会 優秀ポスター賞, 2017年9月1日

"Distribution of nitrogen doping concentration in 4H-SiC grown by solution method"
王 振江(Wang Zhenjiang)
ICSCRM2015 Student Poster Award, 2015年10月8日

「溶液法による次世代パワーデバイス用高品質SiC基板の開発」
原田俊太
愛知県若手研究者イノベーション創出奨励事業第9回「わかしゃち奨励賞」最優秀賞, 2015年1月16日

"Correlation between Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion in Solution Growth of SiC"
原田俊太
Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA 2014, 2014年9月9日

「NaClO3溶液成長におけるアキラル-キラル多形転移を介したキラリティの発生と増幅」
新家寛正(名大院工),
日本地球惑星科学連合2014「学生優秀発表賞」, 2014年5月29日

「3C-SiC溶液成長における多形制御」
関 和明(新日鐵住金(株)・研究員),
平成25年度 日本結晶成長学会賞 第11回奨励賞, 2014年1月31日

「NaClO3溶液成長におけるアキラルな準安定相を介したキラル結晶形成過程」,
新家寛正(名大院工),
第43回結晶成長国内会議講演奨励賞, 2014年1月31日

「基板担持脂質二重膜上でのDNA被覆ナノ粒子の2次元結晶化」,
磯貝卓巳,
日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部 第23回学生による材料フォーラム 優秀ポスター賞, 2013年11月1日

「NEA表面を利用した伝導電子エネルギーの直接測定」,
市橋史朗,
第34回(2013 年春季)応用物理学会講演奨励賞, 2013年9月16日.

"Ultrahigh-resolution direct observation of mini-bands formed in InGaAs/AlGaAs superlattice",
志村大樹,
39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference Best Poster Award, 2013年6月18日.

「DPBフリー3C-SiCの溶液成長」,
関和明,
第33回(2012年秋季)応用物理学会講演奨励賞, 2013年.

「溶液法による3C-SiCバルク結晶成長」,
関和明,
第42回結晶成長国内会議 講演奨励賞, 2013年.

「高分解紫外光電子分光法による超格子ミニバンドの直接観察」
市橋史朗
第22回学生による材料フォーラム 優秀ポスター賞, 2012年.

「超高品質バルク3C-SiC結晶成長−シンクロトロン光トポグラフィーを用いた結晶欠陥の三次元構造の解明とその制御−」,
関和明,
愛知県若手研究者奨励事業第6回「わかしゃち奨励賞」優秀賞, 2012年.

「鉄系超伝導体LnFeAs(O,F)の分子線エピキタシー成長に関する先駆的研究」,
生田博志, 宇治原徹, 田渕雅夫, 竹田美和,
社団法人未踏科学技術協会 超伝導科学技術研究会 第15回超伝導科学技術賞, 2011年.

「液相法によるAlN多結晶体合成とMg添加効果」,
水野恒平, 宇治原徹, 竹田美和, 青木祐一, 竹内幸久, 井上哲,
日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部 優秀ポスター賞, 2010年.

受賞論文「MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と物性評価」,
川口昂彦, 上村彦樹, 大野俊也, 田渕雅夫, 宇治原徹, 竹中康司, 竹田美和, 生田博志,
平成21年度 第28回(2010年春季)応用物理学会講演奨励賞, 2010年.

受賞論文「一分子蛍光追跡法による脂質二重膜中の幅広い時間・空間スケールでの分子拡散挙動のその場観察」,
手老龍吾, 佐崎元, 宇治原徹, 宇理須恒雄,
第90春季年会優秀講演賞(学術), 2010年.

「溶液成長によってCVD製3C-SiC基板上に成長させた結晶のTEM解析」,
森本海, 関和明, 徳永智春, 宇治原徹, 佐々木勝寛, 黒田光太郎,
19回学生による材料フォーラムで優秀ポスター賞, 2009年.

”Super-High Brightness and High-Spin-Polarization Photocathode”,
金秀光,山本尚人,中川靖英,真野篤志,加藤鷹紀,谷奥雅俊,宇治原徹,竹田美和,奥見正治,山本将博,中西彊,坂貴,堀中博道,加藤俊宏,安江常夫,越川孝範,
第31回(2009年度)応用物理学会論文賞(JJAP論文賞), 2009年.

受賞論文「温度勾配中における溶液成長による低温安定相3C-SiC結晶の大量成長」,
前川諒介, 宇治原徹, 竹田美和,
平成18年度 日本金属学会2006年春季講演大会 第6回優秀ポスター賞, 2006年.

宇治原徹,
平成17年度 第3回日本結晶成長学会奨励賞, 2005年.

受賞論文「LPE法により作製したSi結晶の太陽電池特性と低温成長の有効性」,
佐藤祐輔, 宇治原徹, 藩伍根,藤原航三, 佐崎元, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄,
平成16年度 第16回応用物理学会講演奨励賞, 2004年.

宇治原徹,
平成15年度 第13回日本金属学会奨励賞 「材料プロセッシング分野」, 2003年.

宇治原徹,
平成15年度 第43回原田研究奨励賞, 2003年.

受賞論文「Fickの第一法則に基づく金属・半導体溶液の相互拡散係数測定」,
宇治原徹, 藤原航三, 佐崎元, 宇佐美徳隆, 中嶋一雄,
平成13年 第11回応用物理学会講演奨励賞, 2001年.