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 次世代の省エネルギー型スピントロニクスデバイス開発のために、磁性体・絶縁体・半導体・強誘電体・超伝導体などの複数の材料で構成されるヘテロ構造のエピタキシャル成長技術の開発が求められています。さらに、そのヘテロ構造において巨大な量子効果を発現させるためには、その界面構造・電子状態を原子レベルで制御できる界面制御技術の開発が重要な課題となっています。
 本研究グループでは、スパッタリング法(マグネトロン、イオンビーム)やCVD法等の各種手法を用いて、酸化物(強磁性体、反強磁性体、強誘電体、マルチフェロイック、超伝導体)、窒化物(反強磁性体、超伝導体)、ホイスラー合金(強磁性体、反強磁性体、トポロジカル絶縁体)、ダイヤモンド(半導体、超伝導体)等の幅広い薄膜材料とこれらを組み合わせた各種ヘテロ構造のエピタキシャル成長技術、界面制御技術に関する研究を精力的に進めています。

 最近の主な研究成果は以下の通りです。

  ○トポロジカル絶縁体ハーフホイスラー薄膜の単相成長
  ○二重ペロブスカイト反強磁性体薄膜SrLaVMoO6の単相成長
  ○ペロブスカイト/ホイスラーマルチフェロヘテロ構造のエピタキシャル成長
  ○完全格子整合スピネル/ホイスラーヘテロ構造のエピタキシャル成長
  ○ペロブスカイト格子整合バッファを用いた無限層構造Sr1-xLaxCuO2の超伝導化

○ ナノヘテロ構造のエピタキシャル成長技術に関する研究