MOSFET（金属−酸化物−半導体 電界効果トランジスタ）は現代の情報社会を支える集積回路における中核デバイスです。ソース、ドレイン、ゲート電極から構成される半導体三端子デバイスであり、ソース−ドレイン間に流れる電流を、ゲート電圧即ち、電界効果により変調し、電流量の制御ができます。複数のMOSFETを組み合わせる事により現在の集積回路が構成されています。また、現在この電界効果を超伝導体や磁性体の物性制御を行う試みも為されています。
本研究では、この電界効果を半導体のみならず、強磁性体、超伝導体等にも適用し、その物理特性（強磁性又は超伝導転移温度、電気伝導性等）を制御する新規デバイスを開発する事を目的としています。
最近の主な研究成果は以下の通りです。
○ 電界効果（半導体, マルチフェロ, 超伝導）の解明とその応用